苹果iPhone蓄势拥抱AI革命，QLC NAND存储技术或将登台，存储空间上限激增至2TB

7月25日消息，苹果公司正在考虑在未来iPhone产品中采用QLC NAND闪存技术，这一变革有望最早在2026年实现。此举或将把iPhone的最大存储容量推高至前所未有的2TB，满足用户对更大存储空间日益增长的需求。

QLC 和 TLC

TLC 的全称是 Triple Level Cell（三层单元），进一步增加存储密度，每个存储单元存储三位信息。

TLC NAND 的成本甚至低于 MLC NAND，使其成为消费电子产品和主流 SSD 的有吸引力选择。

QLC 的全称是 Quad-level cells（四层单元），每个单元可储存 4bit 数据，跟 TLC 相比，QLC 的储存密度提高了 33%。

QLC NAND 通常用于入门级消费者固态硬盘和大容量存储应用中，QLC NAND 的耐久度最低，通常 P / E Cycle（Program Erase Cycle）在 100 到 1000 之间。

制造商实施先进的错误校正机制、预留配置（OP）和 Wear leveling 以维持可靠性。

虽然 QLC NAND 可能不适合写入密集型工作负载，但它为日常使用提供了充足的存储容量，使固态硬碟在更广泛的用户范围内触手可及。

早有曝料苹果正推进 QLC NAND

最早曝料信息称苹果计划在 iPhone 14 系列上采用 QLC NAND，今年 1 月报道，苹果可能会在 iPhone 16 Pro 系列上采用 QLC NAND。

集邦咨询预估认为苹果公司正在加速推进 QLC NAND 换代，从而将内置存储上限提高到 2TB。

不过需要注意的是，虽然 QLC 的密度比 TLC 高，但速度却比后者慢；而且单个单元中存在更多的单元，它们的耐用性较差，这意味着它们能处理的写入周期比 TLC 少。

迎接大语言模型

苹果公司还在探索如何使用 NAND 闪存，而不是内存来存储大型语言模型（LLMs），从而能够在本地运行更多 AI 任务，因此过渡到 QLC NAND 可能有助于改善 Apple Intelligence 的表现。

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