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近日消息，SK海力士宣布了一项环保举措，即将在芯片制造的清洗流程中采用氟气（F2），此举旨在减少生产过程中的环境影响，推进半导体产业的绿色化进程。
SK 海力士 2024 可持续发展报告显示，该公司原先将三氟化氮（NF3）用于芯片生产过程中的清洗工艺，用于去除沉积过程中腔室内部形成的残留物，其全球变暖潜能值（GWP）显著高于氟气（NF3 的 GWP 为 17200，而 F2 为 0）。
除此之外，SK 海力士还进一步增加了氢氟酸（HF）的使用量（可用于低温蚀刻设备），该气体的 GWP 为 1 甚至更低，远低于过去用于 NAND 通道孔蚀刻的氟碳气体。
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