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近日消息，SK海力士的研究员Seo Jae-Wook在近期于韩国水原举行的学术会议上提出，为应对成本挑战，公司正探讨未来DRAM内存技术的发展方向，其中包括采用4F2结构或更先进的3D结构。
这一策略调整有望突破现有技术瓶颈，降低生产成本，同时保持或提升存储性能，对整个内存行业可能产生深远影响。
Seo Jae-Wook 表示：
从 1c DRAM 开始，EUV 光刻成本迅速增加，现在是时候考虑以这种方式制造 DRAM 是否有利可图了。
（SK 海力士）也在考虑是否应该从下一代产品开始转向 VG（即垂直栅极，Vertical Gate）或 3D DRAM。
Seo Jae-Wook 此处提到的 VG DRAM 即 4F2 DRAM，三星电子称其为 VCT（垂直通道晶体管）DRAM，是一种垂直构建单元结构的新型内存。
4F2 DRAM 的源极、栅极、漏极和电容从下到上放置，字线和位线分别连接到栅极和源极，相较现有的 6F2 DRAM 可减少约 30% 芯片面积。Seo Jae-Wook 预计 VG DRAM 将在 0a nm 节点后量产。
三星电子、SK 海力士、美光三大原厂采用 EUV 光刻的 1c nm DRAM 即将在 2024~2025 年推出。而从下代 1d nm 节点开始，先进内存将使用 EUV 多重曝光，大幅提升生产流程中 EUV 光刻环节的成本。
Seo Jae-Wook 表示，利用 VG 或 3D DRAM 结构，能将内存的 EUV 光刻成本降至传统 6F2 DRAM 的一半以下。
其中对于 VG DRAM，可再维持 1~2 代工艺的低光刻成本，但在那之后 EUV 成本将回归急剧上升轨道；而 3D DRAM 路线则需要对沉积与蚀刻设备进行大规模投资。
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