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近日消息，韩媒发布博文，三星电子正考虑缩减其在高级High-NA EUV（极紫外光刻）设备的采购规模，此举引发了业界关注。同时，三星与ASML合作建立的研发中心项目也被报道遭遇若干挑战，这可能对双方在尖端半导体制造技术领域的合作进度产生影响。
High-NA EUV技术对推动芯片制程微缩、提升半导体性能至关重要，因此三星的这一决策动向或将对全球半导体产业链带来一定波动。
三星于 2023 年 12 月和 ASML 签署了一份谅解备忘录（MOU），将在韩国首都圈建立一个 EUV 联合研究中心。
援引消息源报道，三星原本计划在未来 10 年内，采购 Twinscan EXE:5200、EXE:5400 和 EXE:5600 三款后续 Twinscan EXE:5000 High-NA 光刻机，而最新报道称三星已经通知 ASML，不仅削减 Twinscan EXE:5000 系列 EUV 光刻机采购数量，而且后续仅采购 EXE:5200。
报道称这一决定是在副董事长 Jun Young-hyun 被任命为 DS（设备解决方案）部门的新负责人，并重新审查正在进行的项目和投资之后做出的。
一位熟悉情况的业内人士说：
在京畿道华城购买土地建造研究设施的过程以及设计和审批过程都在进行中，然而，随着三星决定减少设备引进，相关进程已完全停止。
联合研究中心是否会在其他地方建立，或者建立本身是否会被取消，将在今后的讨论中决定。
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