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近日消息，台积电高层于2024年新竹技术论坛上透露，公司针对2nm技术节点的研发工作稳步推进，特别是其基于Nanosheet纳米片结构的GAA（Gate-All-Around）晶体管技术展现出良好发展态势。
台积电联席副 COO 张晓强表示，台积电的 2nm 制程进展“非常顺利”：目前纳米片的“转换表现”已达到目标 90%，按良率计算也超过了 80%。
台积电认为其 N2 制程在 2025 年推出时，将继续成为代工业界最领先的技术。
另据外媒整理，台积电将在 2025 下半年实现 N2 制程量产，同期还将带来 3nm 家族中面向 HPC 应用的 N3X 制程。
N3X 制程拥有更高的 1.2V 最大电压，相较 N3P 制程在相同频率下功耗降低 7%，在相同面积下性能提升 5%，在相同频率下密度提升 10%。另据此前报道，该节点有望从今年开始接获投片。
而在 2026 下半年，台积电将量产两个 2nm 家族变体制程：N2P 和 A16。
N2P 制程将相较 N2 制程在相同频率和密度下功耗降低 5~10%，在相同密度和功耗下性能提升 5~10%。
在 A16 节点，台积电将正式引入背面供电技术。该制程可在相同工作电压下，频率提升 8~10%；在相同频率下功耗降低 15~20%，密度至高提升 10%。
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