三星发布BM1743数据中心SSD新品：采用最前沿v7 QLC V-NAND技术，全面适配PCIe 5.0高速接口

近日消息，三星半导体在其官方技术博客上披露了一款革新性的数据中心级固态硬盘——BM1743，这款SSD采用了该公司最新的QLC（Quad-Level Cell）闪存技术第七代（v7）。BM1743固态硬盘不仅代表了三星在存储领域的持续创新，同时也标志着数据中心存储解决方案的一次重大跃进。

根据 TrendForce 集邦咨询 4 月的说法，在 QLC 数据中心级固态硬盘领域，仅有深耕多年的三星和 SK 海力士旗下 Solidigm 在当时通过了企业客户验证。

相较上代 v5 QLC V-NAND（三星 v6 V-NAND 无 QLC 产品），三星 v7 QLC V-NAND 闪存在堆叠层数方面几乎翻了一倍，存储密度也大幅提升。

同时 v7 QLC V-NAND 的顺序读写性能至少是此前的两倍，随机读取速度更达到了 4 倍。

这意味着 BM1743 可提供远超过基于 v5 QLC V-NAND 的上代数据中心 QLC 固态硬盘 BM1733a 的容量和性能，满足数据中心对更优秀存储的需求。

BM1743 包含 U.2 和 E3.S 两种外形规格，其中 U.2 版本支持 PCIe 4.0，容量可达 61.44TB，拥有进一步扩展至 122.88TB 的潜力，而 E3.S 版本可支持 PCIe 5.0。

作为对比，BM1733a 仅支持 PCIe 3.0，最大容量也仅有 15.36TB，即 61.44TB 的四分之一。

而在可靠性方面，BM1743 的写入耐久为 0.26DWPD，断电数据保持时间为 3 个月；BM1733a 的这两项数据分别为 0.18DWPD 和 1 个月。

三星半导体表示，用户既可以直接在现有 PCIe 3.0 环境使用 BM1743，享受其更低的 TCO 成本；

也可充分利用 BM1743 支持 PCIe 4.0 带来的提升，降低读取任务响应时间，提升 AI 负载处理能力；而 BM1743 E3.S 版本对 PCIe 5.0 的支持则将为数据中心带来更大的性能优势。

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