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近日消息，台积电预计将于2028年在其A14P制程技术中集成最新的High NA EUV光刻技术，这一革新之举预示着半导体制造领域将迎来又一重要里程碑。
台积电目前正式公布的最先进制程为 A16，该工艺将支持背面供电网络（BSPDN），定于 2026 下半年量产。从目前消息来看，在 A16 上台积电仍将采用传统的 Low NA (0.33NA) EUV 光刻机。
台媒在报道中表示，台积电在 A16 后的下一代工艺 A14 预计于 2026 上半年进入风险试产阶段，最快 2027 年三季度量产，该节点的主力光刻设备仍将是 ASML 的 NXE:3800E Low NA EUV 机台。
而在 A14 改进版 A14P 中，台积电有望正式启用 High NA EUV 光刻技术，该节点在时间上大致落在 2028 年。
台积电将在 2030 年后进入 A10 等更先进世代，届时会全面导入 High NA EUV 技术，进一步改进制程技术的成本与效能。
报道还提到，台积电已完成量产用 ASML High NA EUV 光刻机的首阶段采购。
而在研发用机台方面，ASML 此前已经披露，将在 2024 年内交付台积电的首台 High NA EUV 光刻机，价值达 3.8 亿美元（当前约 27.62 亿元人民币）。
台积电的先进代工竞争对手中，英特尔明确将在 Intel A14 节点使用 High NA 光刻；三星电子虽早已向 ASML 下单 High NA EUV 光刻机但未明确何时启用；Rapidus 的 High NA 节点至少也要等到 2nm 后。
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