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2月27日最新资讯，据可靠来源透露，SK海力士计划在本年度内引进8台极紫外光刻机（EUV），此举旨在加快DRAM内存产品技术的创新迭代和升级进程。
SK 海力士现有 5 台光刻机。到今年末，若加上韩媒报道中称的 8 台，其拥有的 EUV 光刻机总数将达 13 台，较年初翻倍有余，大幅提升 EUV 曝光能力。
SK 海力士于第四代 10 纳米级制程 ——1anm 制程中首次引入 EUV 光刻，当时仅在 1 个步骤中使用；而来到目前的 1bnm 节点中，EUV 使用步骤提升到 4 个；至于正在研发的 1cnm 工艺，据透露，EUV 使用量将进一步提升至 6 个步骤。
SK 海力士于去年 5 月完成了 1bnm 制程服务器内存的技术研发，并宣布计划于今年上半年将这一先进工艺扩展到 LPDDR5T 和 HBM3E 等移动 / AI 服务器领域热门 DRAM 内存产品中，这也增加了对 EUV 曝光的需求。此外曲线升级无锡工厂产能至 1anm 也将增加 SK 海力士在韩国本土的 EUV 用量。
SK 海力士今年计划在半导体设备领域投资 5.3 万亿韩元（注：当前约 286.73 亿元人民币）。新 EUV 设备总共价值约 2 万亿韩元，预计将占到整体设备投资的近四成。
就 EUV 设备引进计划向 SK 海力士发言人寻求回应，发言人表示“无法确认公司设备投资情况”。
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