近日消息,业界传出一则引人瞩目的动态,据可靠消息透露,SK 海力士在其新一代HBM4高带宽内存的研发进程中,或将作出一项关键决策——选用台积电先进的7纳米制程技术来打造基础裸片(Base Die)。
这一动向不仅体现了SK海力士对尖端半导体制造工艺的追求,也揭示了其与台积电深化战略合作的意图。
注:目前台积电 7nm 系产能大部分已迁移至 6nm 变体,因此韩媒的表达更适合作为“7nm 系”制程理解。
HBM 内存的基础裸片是 DRAM 堆叠的底座,同时也作为控制器负责同处理器进行通信。
SK 海力士上周同台积电签署了 HBM 内存合作谅解备忘录,双方的首个合作重点就是 HBM 基础逻辑芯片的性能改善。
SK 海力士此前在 HBM 产品中采用存储半导体工艺制造基础裸片;而在 HBM4 中,台积电将采用先进逻辑工艺为 SK 海力士代工,以实现更丰富的功能和更加优异的功效,有助于满足客户对定制化 HBM 的需求。
SK 海力士目标到 2026 年实现 HBM4 内存投产。咨询机构 TrendForce 集邦咨询持有不同于 The Elec 的看法,其在去年 11 月认为 HBM4 的基础裸片将基于 12nm 工艺。
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