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5月14日消息，SK海力士的HBM业务主管Kim Gwi-wook通过官方渠道透露，鉴于HBM技术现已达到前所未有的高度，行业内的强劲需求正驱使该公司加快其研发步伐。
据Kim Gwi-wook介绍，SK海力士预计将在2026年率先面市其创新的HBM4E内存产品线，该系列产品相较于前一代HBM4，在数据传输速度上实现了显著提升，带宽增长达1.4倍，预示着存储领域的一次重大飞跃。
除了 HBM4E 外，有消息称 SK 海力士计划在 2025 年下半年推出采用 12 层 DRAM 堆叠的首批 HBM4 产品，而 16 层堆叠 HBM 稍晚于 2026 年推出。
HBM4 / HBM4E 的开发“加速过程”无疑显示了 AI 领域巨头对高性能内存的强劲需求，日益强大的 AI 处理器需要更高内存带宽的辅助。
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