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5月20日消息，随着人工智能（AI）芯片市场的急剧扩张，对更大规模硅中介层的需求显著上升，这直接引发了12英寸晶圆在切割过程中的产出量缩减问题，进而对CoWoS（Chip-on-Wafer-on-Substrate）高级封装技术的产能形成了巨大压力，需求与供应之间的缺口进一步拉大。
芯片变大
集邦咨询预估英伟达推出的 B 系列（包括 GB200、B100、B200），将消耗更多的 CoWoS 封装产能。
此前报道，台积电增加了 2024 年全年的 CoWoS 产能需求，预计到年底月产能将接近 4 万片，相比 2023 年的总产能增长超过 150%。2025 年的总产能有可能增长近一倍。
不过英伟达发布的 B100 和 B200 芯片，中间层面积（interposer area）将比以前更大，意味着 12 英寸晶圆切割出来的芯片数量减少，导致 CoWoS 的产能无法满足 GPU 需求。
HBM
业内人士表示 HBM 也是一大难题，采用 EUV 层数开始逐步增加，以 HBM 市占率第一的 SK 海力士为例，该公司于 1α 生产时应用单层 EUV，今年开始转向 1β，并有可能将 EUV 应用提升 3～4 倍。
除技术难度提升外，随着 HBM 历次迭代，HBM 中的 DRAM 数量也同步提升，堆叠于 HBM2 中的 DRAM 数量为 4～8 个，HBM3／3E 则增加到 8～12 个，HBM4 中堆叠的 DRAM 数量将增加到 16 个。
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