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6月18日消息，日本三井化学集团自2021年起，凭借与荷兰光刻机巨头阿斯麦（ASML Holding NV）的技术合作，已成功在岩国大竹工厂实现了EUV光罩的商业化量产，这一举措稳固了三井化学在全球EUV光罩生产领域的领头羊地位，为先进半导体制造技术的发展注入了强劲动力。
三井化学宣布将在其岩国大竹工厂设立碳纳米管 (CNT) 薄膜生产线，开始量产半导体最尖端光刻机的零部件产品（保护半导体电路原版的薄膜材料“Pellicle”的新一代产品）。
三井化学预期年产能力为 5000 张，生产线预计于 2025 年 12 月完工，可用于荷兰 ASML 将推出的下一代高数值孔径、高输出 EUV 光刻机提供支持。
光掩模防尘薄膜（pellicle）用于保护光掩模的清洁，需要高透光率以及长寿命。三井化学 2023 年与比利时微电子研究中心（imec）合作，将共同推进 EUV 碳纳米管光掩模薄膜（pellicle）技术商业化。
那么问题来了，什么是 CNT 薄膜呢？
简单来说，下一代 EUV 光刻技术对高数值孔径（NA 值 0.55）、高输出功率 (600W 及更高) 工艺的需求尤其显著，而由新材料制成的薄膜对于承受“能实现此技术所需的苛刻光刻环境”至关重要。
为此，三井化学开发出了新款 CNT 薄膜并决定进行量产。据介绍，采用碳纳米管（CNT）材料制造的薄膜，与以往产品相比大幅提高了强度和光的透射率，具有极高的 EUV 透光率（≥94%）。此外，碳纳米管颗粒还能够承受超过 1kW 的 EUV 功率，从而满足未来新一代光刻机的需求。
三井化学希望通过在其产品线中添加使用 CNT 作为膜材料的新一代防护薄膜产品，以及使用硅基膜制成的传统 EUV 防护薄膜，从而有帮助 ASML 提高半导体性能和生产率。
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