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8月1日消息，SK海力士宣布加快下一代NAND闪存技术的研发步伐，目标于2025年底完成超过400层堆叠的NAND闪存量产筹备工作，并预计在2026年第二季度正式投入大规模制造，此举措预示着存储领域将迎来更高容量与效率的革新。
SK 海力士此前在 2023 年展示了 321 层堆叠 NAND 闪存的样品，并称这一颗粒计划于 2025 上半年实现量产。
按照韩媒的说法，SK 海力士未来两代 NAND 的间隔将缩短至约 1 年，明显短于业界平均水平。
注：从代际发布间隔来看，美光从 232 层 NAND 闪存到 276 层用时 2 年，三星 V8 NAND 和 V9 NAND 间隔约 1.5 年。
韩媒在报道中还提到，SK 海力士新的 400+ 层堆叠 NAND 闪存将采用不同于现有“4D NAND”的整体结构：
SK 海力士目前的 4D NAND 采用了 PUC（Peri Under Cell，单元下外围）技术，将外围控制电路放置在存储单元的下方，较更传统的外围电路侧置设计可减少芯片占用空间。
而 SK 海力士未来的 NAND 将在两块晶圆上分别制造外围电路和存储单元，此后采用 W2W（晶圆对晶圆）形式的混合键合技术，将这两部分整合为完整的闪存。
换句话说，SK 海力士也将采用类似长江存储 Xtacking、铠侠-西部数据 CBA 的结构设计。
报道指出，SK 海力士已在着手构建 NAND 混合键合所需的原材料与设备供应链，正对混合键合技术与材料进行新的审查；此外三星电子也考虑在下一代 NAND 生产中应用混合键合。
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