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8月29日消息，SK海力士宣告了一项内存技术的重大突破，成功研制出全球领先的第六代10纳米级（1c nm）DDR5 DRAM内存芯片，并透露该先进的1c nm制造工艺将会普及至其多样化的DRAM产品线中，此番技术创新无疑将推动存储行业进入一个全新纪元，为市场带来更高效能与更低能耗的内存解决方案。
SK 海力士 DRAM 开发担当副社长金锺焕在新闻稿中表示：
1c 工艺技术兼备着最高性能和成本竞争力，公司将其应用于新一代 HBM、LPDDR6、GDDR7 等最先进 DRAM 主力产品群，由此为客户提供差别化的价值。今后公司也将坚守 DRAM 市场的领导力，巩固最受客户信赖的 AI 用存储器解决方案企业的地位。
金锺焕在发言中为采用 1c nm 制程的 LPDDR 与 GDDR 指定了产品世代，但并未在 HBM 产品上提到具体世代。
根据此前报道，SK 海力士的 HBM4E 内存有望采用 1c nm 制程的 32Gb DRAM 裸片，此外 SK 海力士内部也曾有在 HBM4 产品中就导入 1c nm DRAM 的声音。
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