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5月7日消息，在最近举办的北美技术峰会上，台积电揭晓了其A16节点的最新进展，强调了该技术在集成更多晶体管的同时，实现了计算效率的显著增强及功耗的深层次削减。这一创新标志着向更高性能、更低能耗芯片设计的又一重大迈进。
此外消息称台积电 A16 工艺节点采用了全新的 Super PowerRail 背面供电技术，其复杂程度要高于英特尔的负面供电技术，可以更好地满足 AI 芯片、数据中心的发展需求。
由于晶体管越来越小，密度越来越高，堆叠层数也越来越多，因此想要为晶体管供电和传输数据信号，需要穿过 10-20 层堆栈，大大提高了线路设计的复杂程度。
台积电的 A16 节点采用了背面供电技术，供电线路位于晶体管的下方，而不是上方，从而缓解 IR 压降（会降低芯片晶体管接收的电压，进而降低其性能）问题。
晶体管由四个主要组件组成，包括源极、汲极、通道和闸极。源极是电流流入晶体管的入口，而汲极是出口；通道和栅极依序负责协调电子的运动。
而台积电的 A16 节点制程技术中的电力传输线直接连接到源极和汲极，因此要比英特尔的背面供电技术更加复杂。台积电表示，其决定采用更复杂的设计原因是有助于提高客户芯片的效能。
台积电表示在相同工作电压（Vdd）下，使用 Super PowerRail 的 A16 节点运算速度要比 N2P 快 8~10%；相同运算速度下，功耗降低 15%~20%，芯片密度提升高达 1.10 倍。
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