知识
艾伦·黑格（Alan J. Heeger）是美国物理学家、化学家和材料科学家，他因为在导电聚合物领域的开创性研究与白川英树和艾伦·G·马克迪尔米德共同获得了2000年的诺贝尔化学奖。
人物经历
1936年1月22日，艾伦·黑格（Alan J.Heeger）出生于美国爱荷华州苏城。
1957年，获得内布拉斯加大学物理学和数学学士学位。
1961年，获得美国加州大学伯克利分校物理学博士学位。
1962年—1982年，任教于宾夕法尼亚大学（University of Pennsylvania）物理系。
1967年，任宾夕法尼亚大学物理系教授。
1982年，任美国加州大学圣塔芭芭拉分校（UCSB）物理系教授。
1982年—1999年，任美国加州大学圣塔芭芭拉分校（UCSB）高分子和有机固体研究所所长。
1998年，获得内布拉斯加大学理学博士学位。
2000年，获得华南理工大学名誉理学博士学位；同年，获得诺贝尔化学奖。
2001年，当选为美国国家科学院院士。
2002年，当选为美国国家工程院院士。
2007年，当选为中国科学院外籍院士。
科研综述
1973年，艾伦·黑格（Alan J.Heeger）发表对TTF-TCNQ类高导有机电荷转移复合物的研究，开创了有机金属导体及有机超导体研究的先河；1990年，发表可加工性高导聚苯胺，实现了导电聚合物的实用化；1991年，发现MEH-PPV与C60之间的光诱导电荷分离，是目前高效大面积聚合物异质结太阳电池研究的物理基础及源头之一；1996年，首次实现共扼聚合物固态下的光泵浦激光。
艾伦·黑格（Alan J.Heeger）在美国加州大学圣塔芭芭拉分校（UCSB）创建了高分子和有机固体研究所。
文明上网，理性发言，共同做网络文明传播者