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威廉·肖克利1956年诺贝尔物理学奖获得者,“半导体时代”的开创者

诺贝尔奖 2024-02-28 15:22:27 嘞嘞

威廉·肖克利(William Shockley)因其在半导体物理学领域的开创性工作,特别是与约翰·巴丁(John Bardeen)和沃尔特·布拉顿(Walter Brattain)共同发明晶体管,于1956年被授予诺贝尔物理学奖。这一发明彻底改变了电子工业的面貌,并为现代计算机、通信设备以及其他众多基于半导体技术的产品奠定了基础。

人物生平

肖克利在英国伦敦出生,父母是美国人。他在加利福尼亚州长大并于1932年本科毕业于加州理工学院。1936年他获得了麻省理工学院博士学位,其博士论文题目为计算氯化钠晶体内的电子密度函数。1936-1955年期间他在贝尔实验室工作,曾任晶体管物理部主任。1938年获第一个专利“电子倍增放电器”。1947年与他人合作发明了晶体管。1951年他成为美国国家科学院院士。1955年,他在加州芒廷维尤创立了「肖克利实验室股份有限公司」,聘用了很多年轻优秀的人才。但很快肖克利个人的管理方法因其公司内部不合,八名主要员工(八叛逆)于1957年集体跳槽成立了仙童半导体公司,后来开发了第一块集成电路。而肖克利实验室则每况愈下,两次被转卖后于1968年永久关闭。肖克利于1963年开始任斯坦福大学教授。他在晚年认为各种族的遗传水准有高有低,并支持鼓动智力低下者自愿绝育,因而在科学界和媒体界引起了争议。他于1989年因前列腺癌去世。

生平贡献

晶体管的发明

肖克利与约翰·巴丁(John Bardeen)和沃尔特·布拉顿(Walter Brattain)在贝尔实验室共同发明了晶体管。这一发明于1947年完成,取代了体积大、能耗高且易损坏的真空管,为现代电子工业革命奠定了基础。由于这一开创性的工作,三人共同荣获了1956年的诺贝尔物理学奖。

半导体理论与研究

肖克利在半导体物理领域做出了重要贡献,他深入研究了固态物质中电子的行为,并对晶体管的工作原理进行了理论解释和实验验证,这极大地推动了半导体科学和技术的发展。

硅谷之父

1955年,肖克利离开贝尔实验室,在加利福尼亚州帕洛阿尔托市创建了肖克利半导体实验室,这一举措后来被认为是硅谷诞生的起点。尽管他在商业上的尝试并未取得预期的成功,但肖克利实验室吸引了众多顶尖人才,这些人才后来离职创立了一系列成功的半导体公司,如“八叛逆”创办的仙童半导体公司,进而孵化出了包括英特尔、AMD等在内的多个科技巨头。

教育与人才培养

虽然肖克利的管理风格和商业决策饱受争议,但他作为一位教师和科研领导者,培养了许多未来的科技行业领导者,对于半导体产业的人才输送起到了重要作用。

专利与学术成果

肖克利一生共获得90多项专利,其学术成就涵盖了半导体器件、太阳能电池、光电子学等多个领域。

来源:百度百科
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